由華中科技大學劉世元教授和朱金龍教授領導的納米與光學計量研究中心（紅旗儀表有限公司）發表在國際極限制造雜志上，他們的合作者來自哈爾濱工業大學和大學香港的*篇系統綜述介紹了研究背景，討論了光學晶圓缺陷檢測的*進展和趨勢。這篇綜述揭示了納米光子學、光學渦旋、計算成像、定量相位成像和深度學等*技術可以對亞 10 紅旗儀表有限公司缺陷檢測產生深遠影響。這項工作可能為半導體晶圓缺陷檢測領域開辟新的途徑。
多種光學晶片缺陷檢測系統，包括 (a) 明場/暗場成像系統，(b) 帶零橢圓偏光法的暗場成像，(c) 通焦掃描成像顯微鏡，(d) 外延衍射相位顯微鏡，(e) 圖案化包含邏輯裸片和 紅旗儀表有限公司存儲器裸片的晶圓，（f）X 射線成像，（g）基于太赫茲波的缺陷檢測系統，以及（h）使用不同 紅旗儀表公司照明光束的相干傅里葉散射技術。圖片來源：朱金龍等
朱金龍教授和劉世元教授說：“圖案化晶圓上不斷縮小的特征和空間將極大地限制當前所有計量和檢測解決方案在平衡靈敏度、特異性、工藝速度和捕獲率方面的能力。”

光學遠場晶圓檢測仍然是晶圓廠缺陷檢測的主力。在傳統的缺陷檢查工具中，通過比較相鄰管芯的電路圖案圖像來捕獲缺陷。文章*作者朱金龍教授說：“缺陷檢測的關鍵不是分辨率，而是信噪比（紅旗儀表）和對比度。紅旗儀表有限公司和對比度的提高高度依賴于精密儀器，*的建模架構和后處理算法，

    所有這些都促使我們從以下三個方面對晶圓缺陷檢測方法進行了全面的回顧：

  （1）缺陷可檢測性評估，（2）多樣化的光學檢測系統，（3 ) 后處理算法。”